半导体镀金工艺流程

2024-08-12 10:10:04
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1)闭合清洗剂液槽,恒温后确认清洗剂液槽液温为60±5℃;

2)闭合本镀金槽加热器电源,给相应药液升温;确认本镀液槽液温为60~65℃;闭合电镀用电源;

3)将待镀金硅叠装上专用夹具;

4)脱脂:确认清洗剂液槽液温为60±5℃,将夹具置于清洗剂中浸泡5±1min;

5)水洗:将夹具在纯水槽中冲洗25s,并用手不断上下摆动夹具;

6)酸洗:将夹具在盐酸槽中浸泡60±5s;

7)水洗:将夹具置于纯水槽中冲洗25s;

8)预镀:将夹具置于预镀液槽中,电镀25s;控制电镀电源电压为3.35±0.01v;

9)本镀:确认本镀液槽液温为60~65℃,将夹具置于本镀槽中,本镀2.0±0.5min,调整电镀电源电流为0.6±0.1a,电镀电压不定;

10)后处理:将夹具依次转入两级水洗槽中,每级水槽各清洗25s;

11)脱水干燥:将夹具转入甲醇槽,浸泡60s;然后置于红外线烘箱中,干燥5min。